Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
HomeProductsIndustrial Smart Module АксессуарыDDR3 UDIMM Эстутумдун модулунун мүнөздөмөлөрү

DDR3 UDIMM Эстутумдун модулунун мүнөздөмөлөрү

Төлөм түрү:
L/C,T/T,D/A
Инкотерм:
FOB,EXW,CIF
Min. тартип:
1 Piece/Pieces
ташуу:
Ocean,Air,Express,Land
  • Буюм жөнүндө маалымат
Overview
Product Attributes

Модели No.NSO4GU3AB

Жеткирүү мүмкүнчүлүг...

ташууOcean,Air,Express,Land

Төлөм түрүL/C,T/T,D/A

ИнкотермFOB,EXW,CIF

Таңгак жана жеткирүү
Сатуу бирдиктери:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240-PIN DDR3 UDIMM


Тарыхы

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Маалымат таблицасына заказ кылуу

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Сүрөттөө
Hengstar бузулбаган DDR3 SDRAM DIMMS (кош эмес кош маалыматтар ставкасы) DDR3 SDRAM түзмөктөрүн колдонгон DDR3 SDRAM түзмөктөрүн колдонгон төмөн кубаттуулук, жогорку ылдамдыктагы иштөө эс тутуму. Ns04gu3ab - бул 512м x 64 биттик эки наам 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDR11 1.5V SDR11 1.5V 256 м х 8-бит фББА компоненттерине негизделген. SPD JEDEC стандартынын кечигүү DDR3-1600 11-11-11-жылдардагы 11-11-11 чейин программаланган. Ар бир 240-Пин Димм алтын менен байланыш манжаларын колдонот. SDRAM бузулбаган DIMM компьютерлер жана жумуш станциялары сыяктуу тутумдарга орнотулган негизги эс тутуму катары колдонууга арналган.


Өзгөчөлүктөрү
POWER жеткирүүсү: vdd = 1.5v (1.425V чейин 1.575V чейин)
vddq = 1.5V (1.425V чейин 1.575V чейин)
800MHZ FK 1600MB / SEC / PIN үчүн
8 Көзкарандысыз Ички Банкы
Кол өнөрчүлүк CAS ЛЕНТИНИ: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Колгосуз калган кечигүү: 0, CL - 2 же CL - 1 саат
8 биттик алдын ала алып келүү
Бурст Length: 8
bi-багытындагы дифференциалдык маалыматтар стробе
индин (өз алдынча) калибрлөө; ZQ PIN (RZQ: 240 OH 1% oh 1%)
Odt PIN менен токтотуу DEM токтотуу
7,8 ° C, 3,9ус 85 ° C, 85 ° C (95 ° C)
Asynchronous Resus
Data-Output Drive
Топология менен
pcb: Бийиктиги 1.18 "(30мм)
rohs ылайыктуу жана галоген


Негизги убакыт параметрлери

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Дарек үстөлү

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


PIN сүрөттөөлөр

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Кошумча маалыматтар : Төмөндө PIN-мүнөздөмөлөрдүн таблицасы бардык DDR3 модулдары үчүн бардык мүмкүн болгон казыктардын тизмеси келтирилген. Бардык казыктардын болушу мүмкүн бул модулда колдоого алынбайт. Бул модулга мүнөздүү маалымат алуу үчүн PIN тапшырмаларды караңыз.


Функционалдык блок диаграммасы

4GB, 512MX64 Модул (X8 2)

1


2


Эскертүү:
1. ZQ топу ар бир DDR3 компонентинде жайгашкан Тышкы 240ω ± 1% резистке туташкан. Ал компоненттин өлгөндүгүн токтотуу жана чыгарылган драйвердин компоненттин калибрлөөсү үчүн колдонулат.



Модулдун өлчөмдөрү


Алдыңкы көрүнүш

3

Алдыңкы көрүнүш

4

Кошумча маалыматтар:
1.All Өлчөмдөрү миллиметр (дюйм); Макс / мин же мүнөздүү (TOP) белгилеген жерде.
2. Бардык өлчөмдөр боюнча ± 0.15mm башкача көрсөтүлбөсө.
3. Өлчөмдүү диаграмма маалымдама гана.

Продукт Categories : Industrial Smart Module Аксессуары

Бул берүүчүгө Email
  • *тема:
  • *үчүн:
    Mr. Jummary
  • *E-mail:
  • *билдирүү:
    Сиздин кабар 20-8000 белгиден турушу керек
HomeProductsIndustrial Smart Module АксессуарыDDR3 UDIMM Эстутумдун модулунун мүнөздөмөлөрү
жөнөтүү иликтөө
*
*

үй

Product

Phone

Биз жөнүндө

справка

Биз сиз менен байланышабыз

Сиз менен тезирээк байланышып турсаңыз болот

Купуялык билдирүүсү: Сиздин купуялыгыңыз биз үчүн абдан маанилүү. Биздин компания сиздин жеке маалыматыңызды ачыкка чыгарууга уруксатыңыз менен ачыкка чыгарбоого убада берет.

жиберүү